Datasheet NTE858M - NTE Electronics Даташит ИС, операционный усилитель, 4 МГц, 13 В/мкс, DIP-8 — Даташит

Купить NTE858M на РадиоЛоцман.Цены — от 186 до 20 375 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков IC: операционный усилитель; 4МГц; Ch: 2; DIP8; ±15ВDC
Utmel Весь мир	NTE858M	от 186 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE858M NTE Electronics	225 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE858M NTE Electronics	230 ₽	Купить
МосЧип Россия	NTE-858M	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: ИС, операционный усилитель, 4 МГц, 13 В/мкс, DIP-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE858M NTE858SM Integrated Circuit Dual, Low­Noise JFET­Input Operational Amplifier
Description: The NTE858M and NTE858SM are dual, low­noise JFET input operational amplifiers combining two state­of­the­art linear technologies on a single monolithic integrated circuit.

Each internally compensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset voltage. The BIFET technology provides wide bandwidths and fast slew rates with low input bias currents, input offset currents, and supply currents. Moreover, these devices exhibit low­noise and low harmonic distortion making them ideal for use in high­fidelity audio amplifier applications. Features: D Available in Two Different Package Types: 8­Lead Mini DIP (NTE858M) SOIC­8 Surface Mount (NTE858SM) D Low Input Noise Voltage: 18nVHz Typ D Low Harmonic Distortion: 0.01% Typ D Low Input Bias and Offset Currents D High Input Impedance: 1012 Typ D High Slew Rate: 13V/µs Typ D Wide Gain Bandwidth: 4MHz Typ

Спецификации:

• Тип ОУ: Low Noise
• Количество усилителей: 2
• Полоса частот: 4 МГц
• Скорость нарастания: 13 В/мкс
• Диапазон напряжения питания: ± 15 В
• Тип корпуса: DIP
• Количество выводов: 8
• Рабочий диапазон температрур: 0°C ... +70°C

RoHS: есть