Datasheet FZT649 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Купить FZT649 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.77 до 1 372 ₽ 36 предложений от 21 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 3 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	FZT649 Fujitsu-Siemens	6.77 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FZT649-CUT TAPE Fairchild	15 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	FZT649	1 372 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	FZT649TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 4 FEBRUARY 1996 FEATURES * 25 Volt VCEO * 3 Amp continuous current * Low saturation voltage * Excellent hFE specified up to 6A COMPLEMENTARY TYPE PARTMARKING DETAIL PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage Temperature Range PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Turn-On Voltage Static Forward Current Transfer Ratio Transition Frequency Output Capacitance Switching Times SYMBOL MIN.

35 V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) hFE 70 100 75 15 150 0.12 0.40 0.9 0.8 200 200 150 50 240 25 55 300 25 5 0.1 10 0.1 0.3 0.6 1.25 1.0 300 MHz 50 pF ns ns FZT749
FZT649
C
E C B

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 240 МГц
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• DC Collector Current: 3 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulsed Current Icm: 8 А
• SMD Marking: FZT649
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 35 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901