Datasheet FZT749 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-223 — Даташит

Купить FZT749 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.71 до 203 ₽ 30 предложений от 24 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Стандарт СИЗ Россия	FZT749TA Diodes	7.71 ₽	Купить
Akcel Весь мир	FZT749TA Diodes	от 18 ₽	Купить
Элитан Россия	FZT749 Diodes	38 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор биполярный FZT749 SMD Zetex	55 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 - NOVEMBER 1995 FEATURES * 25 Volt VCEO * 3 Amp continuous current * Low saturation voltage * Excellent hFE specified up to 6A (pulsed).

COMPLEMENTARY TYPE PARTMARKING DETAIL FZT649 FZT749
FZT749
C
E C B SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICM IC Ptot Tj:Tstg TYP. MAX. VALUE -35 -25 -5 -8 -3 2 -55 to +150 UNIT V V V -0.1 -10 -0.1 -0.12 -0.40 -0.9 -0.8 -0.3 -0.6 -1.25 -1.0 300 MHz 100 pF ns

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 160 МГц
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• DC Collector Current: 3 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulsed Current Icm: 8 А
• SMD Marking: FZT649
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 35 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901