Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet MMBT5551 - Fairchild Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23 — Даташит

Fairchild MMBT5551

Наименование модели: MMBT5551

69 предложений от 34 поставщиков
Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 160Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 180Максимальный постоянный ток коллектора, А: 0,6Максимальная рассеиваемая мощность,...
ЗУМ-СМД
Россия
MMBT5551
Hottech
0.07 ₽
AliExpress
Весь мир
MMBT2222 1P MMBT2907A 2F PMBT2907A W2F T2F MMBT3904 1AM MMBT3906 2A MMBT4401 2X MMBT4403 2T MMBT5401 2L MMBT5551 G1 SOT23
0.22 ₽
Utmel
Весь мир
MMBT5551-7-F
Diodes
от 0.64 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
MMBT5551
3.44 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier
April 2006
2N5551- MMBT5551
NPN General Purpose Amplifier
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
  • Рассеиваемая мощность: 350 мВт
  • DC Collector Current: 600 мА
  • DC Current Gain: 250
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Continuous Collector Current Ic: 600 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 250
  • Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
  • DC Current Gain Min: 80
  • Noise Figure Typ: 8 дБ
  • Тип корпуса: SOT23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт
  • RF Transistor Case: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Test Frequency: 15.7 кГц

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • ON Semiconductor - MMBT5551LT1G
  • Roth Elektronik - RE901
  • STANNOL - 574601

На английском языке: Datasheet MMBT5551 - Fairchild TRANSISTOR, NPN, 160 V, 0.6 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России