Datasheet NTE103A - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, NPN, 32 В, TO-1 — Даташит

NTE Electronics NTE103A

Наименование модели: NTE103A

Купить NTE103A на РадиоЛоцман.Цены — от 581 до 81 595 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier
ЧипСити Россия	NTE103A NTE Electronics	581 ₽
AiPCBA Весь мир	NTE103A NTE Electronics	618 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	NTE103A	по запросу
TradeElectronics Россия	NTE103A NTE Electronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Мощность транзистор, NPN, 32 В, TO-1

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE102A (PNP) & NTE103A (NPN) Germanium Complementary Transistors Medium Power Amplifier
Description: The NTE102A (PNP) and NTE103A (NPN) are Germanium complementary transistors in a TO1 type package designed for use as a medium power amplifier.

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650mW Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32 В
Power Dissipation Pd: 175 Вт
DC Collector Current: 15 А
DC Current Gain Max (hfe): 69
Количество выводов: 3
Power (Ptot): 175 Вт