Datasheet NTE210 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 75 В — Даташит

NTE Electronics NTE210

Наименование модели: NTE210

Купить NTE210 на РадиоЛоцман.Цены Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver
Кремний Россия и страны СНГ	NTE210	по запросу
ТаймЧипс Россия	NTE210 NTE Electronics	по запросу
Acme Chip Весь мир	NTE210 NTE Electronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 75 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE210 (NPN) & NTE211 (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver
Description: The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type package designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and converters.

Features: D TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ TA = +25°C Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V CollectorEmitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 75 В
Transition Frequency Typ ft: 375 МГц
Power Dissipation Pd: 1.67 Вт
DC Collector Current: 1 А
DC Current Gain Max (hfe): 120

RoHS: есть