Datasheet NTE2350 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -120 В, TO-3 — Даташит

NTE Electronics NTE2350

Наименование модели: NTE2350

Купить NTE2350 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 640 до 194 263 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose
ЧипСити Россия	NTE2350 NTE Electronics	1 640 ₽
AiPCBA Весь мир	NTE2350 NTE Electronics	1 725 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2350	194 263 ₽
LifeElectronics Россия	NTE2350 NTE Electronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -120 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2349 (NPN) & NTE2350 (PNP) Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose
Description: The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.

Features: D High DC Current Gain:
hFE = 1000 (Min) @ IC = 25A hFE = 400 (Min) @ IC = 50A D Diode Protection to Rated IC D Monolithic Construction w/BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistor D Junction Temperature to +200°C Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous

Спецификации:

Полярность транзистора: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -120 В
Power Dissipation Pd: 300 Вт
DC Collector Current: -50 А
DC Current Gain Max (hfe): 1000

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K