Datasheet NTE269 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -50 В — Даташит

Купить NTE269 на РадиоЛоцман.Цены — от 336 до 34 135 ₽ 11 предложений от 7 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 50В; 2А; 10Вт; TO202N
ЧипСити Россия	NTE269 NTE Electronics	336 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE269 NTE Electronics	357 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE269 NTE Electronics	от 861 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE269 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -50 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE268 (NPN) & NTE269 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE268 (NPN) and NTE269 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO202 type package designed for amplifier and driver applications where high gain is an essential require ment, low power lamp and relay drivers and power drivers for high-current applications such as volt age regulators.

Features: D Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V Max @ IC = 1.5A D TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ TA = +25°C Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• DC Current Gain Max (hfe): 2000
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C