LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PDTC144EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN 50 В 0.1 А SOT416 — Даташит

NXP PDTC144EE,115

Наименование модели: PDTC144EE,115

14 предложений от 11 поставщиков
транз: (+резисторы) NPN 50V 0,1A hоэ min 80, 150mW R1-47ком ,R2-47ком SOT416 упаковка-3000
PDTC144EE,115
Philips
0.64 ₽
AiPCBA
Весь мир
PDTC144EE115
NXP
4.18 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PDTC144EE.115
301 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PDTC144EE,115
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN 50 В 0.1 А SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC144E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Mar 23 2004 Aug 17
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 10 мА
  • DC Current Gain Min: 80
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC144EE115, PDTC144EE 115

На английском языке: Datasheet PDTC144EE,115 - NXP TRANS NPN 50 V 0.1 A SOT416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России