Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BC859B,215 - NXP Даташит Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23 — Даташит

NXP BC859B,215

Наименование модели: BC859B,215

44 предложений от 20 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount
BC859B.215
NXP
0.40 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BC859B.215
Nexperia
0.71 ₽
AiPCBA
Весь мир
BC859B,215
TE Connectivity
1.64 ₽
ChipWorker
Весь мир
BC859B,215
NXP
32 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC859; BC860 PNP general purpose transistors
Product specification Supersedes data of 1999 May 28 2004 Jan 16
Philips Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
  • Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 220
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: -10 мА
  • Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
  • DC Current Gain Min: 220
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

BC859B215, BC859B 215

На английском языке: Datasheet BC859B,215 - NXP TRANSISTOR PNP 30 V 0.1 A SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России