Datasheet PBSS5330X - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-89 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-89

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Power Dissipation Pd: 550 мВт
• DC Collector Current: 2 А
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-89
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 70 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 2 А
• Current Ic @ Vce Sat: 500 А
• Current Ic Continuous a Max: 2 А
• DC Current Gain: 2 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 140
• Тип корпуса: SOT-89
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.3 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901