Datasheet PDTA114TT - NXP Даташит Транзистор, цифровой, SOT-23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, цифровой, SOT-23

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• DC Current Gain: 1 мкА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 100
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
• Resistance R1: 10 кОм
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
• Обратный ток перехода база-коллектор: -50 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901