Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PDTA115TE,115 - NXP Даташит TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

NXP PDTA115TE,115

Наименование модели: PDTA115TE,115

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTA115T series
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = open
Rev.

05 -- 2 September 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 100
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: -5 мА
  • DC Current Gain Min: 100
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTA115TE115, PDTA115TE 115

На английском языке: Datasheet PDTA115TE,115 - NXP TRANS PNP W/RES 50 V SOT-416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России