Datasheet PDTA115TE,115 - NXP Даташит TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416 — Даташит
Наименование модели: PDTA115TE,115
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416
Краткое содержание документа:
PDTA115T series
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = open
Rev.
05 -- 2 September 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PDTA115TE115, PDTA115TE 115