Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PDTB123YT - NXP Даташит — Даташит

NXP PDTB123YT

Наименование модели: PDTB123YT

44 предложений от 20 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 10 кОм
PDTB123YT,215
NXP
0.99 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PDTB123YT.215
Nexperia
2.58 ₽
PDTB123YT,215
Nexperia
от 9.22 ₽
Acme Chip
Весь мир
PDTB123YT,215
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 70
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 70
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 2.2 кОм
  • Resistance R2: 10 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB123YT - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России