Datasheet PDTC123JE,115 - NXP Даташит TRANS, NPN, 2K2/47K, 50 В, 0.1 А, SOT416 — Даташит

NXP PDTC123JE,115

Наименование модели: PDTC123JE,115

Купить PDTC123JE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.95 до 1 938 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов TRANS RET TAPE-7
ChipWorker Весь мир	PDTC123JE115 NXP	4.95 ₽
AiPCBA Весь мир	PDTC123JE115 NXP	5.13 ₽
LifeElectronics Россия	PDTC123JE115 NXP	по запросу
Acme Chip Весь мир	PDTC123JE.115 Philips	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN, 2K2/47K, 50 В, 0.1 А, SOT416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC123J series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 10 2004 Aug 13
NXP Semiconductors

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
Рассеиваемая мощность: 150 мВт
DC Collector Current: 100 мА
DC Current Gain: 100
Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-416
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
Current Ic Continuous a Max: 5 мА
DC Current Gain Min: 100
Тип корпуса: SOT-416
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC123JE115, PDTC123JE 115