Datasheet PBSS303PD - NXP Даташит Транзистор, PNP, 60 В, 3 А, SSOT-6 — Даташит

Купить PBSS303PD на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 66 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
T-electron Россия и страны СНГ	PBSS303PD.115 Nexperia	10 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PBSS303PD115 NXP	20 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	PBSS303PD T/R NXP	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	PBSS303PD,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 60 В, 3 А, SSOT-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS303PD
60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

02 -- 20 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60 В
• Частота единичного усиления типовая: 110 МГц
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SSOT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -675 мВ
• Current Ic @ Vce Sat: -6 А
• Current Ic Continuous a Max: -3 А
• DC Current Gain: -500 мА
• DC Current Gain Min: 180
• Тип корпуса: SSOT-6
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть