ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet MMUN2212LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, цифровой, SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor MMUN2212LT1G

Наименование модели: MMUN2212LT1G

44 предложений от 17 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
0.34 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
0.87 ₽
ЭИК
Россия
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
от 3.50 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MMUN2212LT1G-BOX
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, цифровой, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMUN2211LT1G Series Bias Resistor Transistor
NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network.

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23 package which is designed for low power surface mount applications.
Features http://onsemi.com
R1 PIN 1 BASE (INPUT) R2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -250 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 100 мА
  • DC Current Gain: 5 мА
  • DC Current Gain Min: 60
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pin Configuration: 1
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
  • Resistance R1: 22 кОм
  • Resistance R2: 22 кОм
  • SMD Marking: A8B
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL
  • LICEFA - V11-7
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet MMUN2212LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России