Datasheet ZVN2110G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: ZVN2110G
Купить ZVN2110G на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 3 727 ₽ 19 предложений от 9 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 500 мА, 4 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
ZVN2110G Diodes | 57 ₽ | ||
ZVN2110G Diodes | 67 ₽ | ||
ZVN2110G | по запросу | ||
ZVN2110G Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223
Краткое содержание документа:
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 OCTOBER 1995 7 FEATURES * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED
ZVN2110G
D
S PARTMARKING DETAIL COMPLEMENTARY TYPE ZVN2110 ZVP2110G D G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500 мА
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 500 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 6 А
- SMD Marking: ZVN2110
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.4 В
RoHS: есть