HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet ZVN2110G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Diodes ZVN2110G

Наименование модели: ZVN2110G

19 предложений от 9 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 500 мА, 4 Ом, SOT-223, Surface Mount
Элитан
Россия
ZVN2110G
Diodes
57 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZVN2110G
Diodes
67 ₽
Acme Chip
Весь мир
ZVN2110G
по запросу
МосЧип
Россия
ZVN2110G
Diodes
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 ­ OCTOBER 1995 7 FEATURES * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED
ZVN2110G
D
S PARTMARKING DETAIL COMPLEMENTARY TYPE ZVN2110 ZVP2110G D G

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 500 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 500 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 7.3 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.7 мм
  • Внешняя ширина: 6.7 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 6 А
  • SMD Marking: ZVN2110
  • Ширина ленты: 12 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.4 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZVN2110G - Diodes MOSFET, N, LOGIC, SOT-223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России