Datasheet ZVN3310A - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, E-LINE — Даташит

Купить ZVN3310A на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 100 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 200 мА, 10 Ом, TO-226AA, Through Hole
Akcel Весь мир	ZVN3310A Diodes	от 23 ₽	Купить
Utmel Весь мир	ZVN3310A Diodes	от 24 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	ZVN3310A Diodes	28 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZVN3310A Diodes	41 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ­ MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 10
ZVN3310A
D G
S

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 10 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.4 В
• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 200 мА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: ZVN3310A
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 1.27 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт
• Pulse Current Idm: 2 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A