Datasheet ZXMN2A01FTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить ZXMN2A01FTA на РадиоЛоцман.Цены — от 7.02 до 30 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN2A01FTA Diodes	7.02 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN2A01FTA Diodes	15 ₽	Купить
ЭИК Россия	ZXMN2A01FTA Diodes	от 24 ₽	Купить
Контест Россия	ZXMN2A01FTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2A01F
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.12
ID = 2.2A
DESCRIPTION

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 120 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.2 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 120 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт
• Pulse Current Idm: 8 А
• SMD Marking: 7N2
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ

RoHS: есть