Datasheet ZXMN2F34MATA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, DFN322 — Даташит

Купить ZXMN2F34MATA на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 88 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
AiPCBA Весь мир	ZXMN2F34MATA Diodes	46 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMN2F34MATA Diodes	47 ₽	Купить
Akcel Весь мир	ZXMN2F34MATA Diodes	от 88 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	ZXMN2F34MATA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, DFN322

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2F34MA 20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322
Summary
V(BR)DSS 20 RDS(on) () 0.060 @ VGS= 4.5V 0.120 @ VGS= 2.5V ID (A) 5.1 3.6
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low (2.5V) gate drive.

The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devices

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: DFN
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 5.1 А
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 120 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 60 МОм
• Тип корпуса: DFN322
• Power Dissipation Pd: 1.35 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть