Datasheet ZXMP6A18K - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, D-PAK — Даташит

Купить ZXMP6A18K на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 9 204 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
Элитан Россия	ZXMP6A18K Diodes	68 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZXMP6A18K Zetex	74 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMP6A18K Diodes	116 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	ZXMP6A18K Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP6A18K 60V P-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS = -60V: RDS(on) = 0.055 : ID = -10.4A
Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
D

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Current Id Max: -10.4 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 10.5 мм
• Внешняя длина / высота: 2.55 мм
• Внешняя ширина: 6.8 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 55 МОм
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 4.3 Вт
• Power Disspation Pd for 50mm sq PCB: 4.3 Вт
• Pulse Current Idm: 37.5 А
• SMD Marking: ZXMP 6A18
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5