Datasheet 2N7000_D26Z - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-92 — Даташит
Наименование модели: 2N7000_D26Z
Купить 2N7000_D26Z на РадиоЛоцман.Цены — от 0.69 до 100 ₽ 81 предложений от 31 поставщиков Транзисторы 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) - кремниевые, полевые МДП, тип канала - n. Применяются в качестве электронных ключей.Корпус TO-92, с... | |||
VN0610L (ST-2N7000) STMicroelectronics | 0.69 ₽ | ||
2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 2N4401 2N4403 2N5087 2N5088 2N5089 2N5401 2N5551 2N7000 PN2222 TO-92 | 0.93 ₽ | ||
2N7000 | от 11 ₽ | ||
2N7000TA ON Semiconductor | от 19 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-92
Краткое содержание документа:
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: TO-92
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 200 мА
- Тип корпуса: TO-92
- Power Dissipation Pd: 400 мВт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- STMicroelectronics - 2N7000