Datasheet FDA16N50_F109 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Купить FDA16N50_F109 на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 10 449 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN
Стандарт СИЗ Россия	fda16n50 (ST-STP14NK50ZFP) STMicroelectronics	30 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	FDA59N30 FDA59N25 FDA24N40 FDA24N40F FDA24N50F FDA28N50F FDA20N50F FDA50N50 FDA18N50 FDA16N50 FDA38N30 FDA69N25 FDA70N20	86 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDA16N50-F109 ON Semiconductor	120 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDA16N50-F109 ON Semiconductor	123 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDA16N50 500V N-Channel MOSFET
FDA16N50
500V N-Channel MOSFET Features
· 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V · Low gate charge ( typical 32 nC) · Low Crss ( typical 20 pF) · Fast switching · 100% avalanche tested · Improved dv/dt capability
UniFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 380 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 16.5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: TO-3P
• Power Dissipation Pd: 205 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A