Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet FDB2532 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB — Даташит

Fairchild FDB2532

Наименование модели: FDB2532

31 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
FDB2532
Fairchild
99 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDB2532
Fairchild
122 ₽
Acme Chip
Весь мир
FDB2532TM-NL
Fairchild
по запросу
FDB2532
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532
August 2002
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16m
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 33 А
  • Drain Source Voltage Vds: 150 В
  • On Resistance Rds(on): 14 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 310 Вт
  • Корпус транзистора: TO-263AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 79 А
  • Тип корпуса: TO-263AB
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 150 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet FDB2532 - Fairchild MOSFET, N, SMD, TO-263AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России