Datasheet FDB8880 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить FDB8880 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 3 460 ₽ 30 предложений от 18 поставщиков МОП-транзистор NCH PWR TRNCH МОП-транзистор 30V 54A 11.6 OHMS
Akcel Весь мир	FDB8880 ON Semiconductor	от 12 ₽	Купить
Utmel Весь мир	FDB8880 ON Semiconductor	от 13 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	FDB8880 ON Semiconductor	от 31 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDB8880-NL	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDP8880 / FDB8880
February 2005
FDP8880 / FDB8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 54A, 11.6m Features
r DS(ON) = 14.5m, VGS = 4.5V, ID = 40A r DS(ON) = 11.6m, VGS = 10V, ID = 40A High performance trench technology for extremely low r DS(ON) Low gate charge High power and current handling capability

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 54 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 55 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 11 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 15.49 мм
• Внешняя длина / высота: 4.69 мм
• Внешняя ширина: 10.54 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: D2-PAK
• SMD Marking: FDB8880
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1.2 В

RoHS: есть