Datasheet FDC6301N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 25 В, 0.22 А, SSOT6 — Даташит

Купить FDC6301N на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 659 ₽ 38 предложений от 21 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 220 мА, 5 Ом, SuperSOT, Surface Mount
AliExpress Весь мир	Новый FDC6301N 301 SOT-23-6 Новый Триод MOS	11 ₽	Купить
Элитан Россия	FDC6301N ON Semiconductor	20 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDC6301N ON Semiconductor	54 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	FDC6301N301 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 25 В, 0.22 А, SSOT6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
September 2001
FDC6301N Dual N-Channel , Digital FET
General Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild 's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, these N-Channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 220 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
• Рассеиваемая мощность: 900 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 220 мА
• Тип корпуса: SSOT
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.7 В

RoHS: есть