Datasheet FDN352AP - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SMD, 3-SUPERSOT — Даташит

Купить FDN352AP на РадиоЛоцман.Цены — от 3.07 до 628 ₽ 43 предложений от 20 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - FDN352AP - MOSFET Transistor, P Channel, -1.3 A, -30 V, 0.18 ohm, -10 V, -2 V
Стандарт СИЗ Россия	FDN352AP Fujitsu-Siemens	3.07 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDN352AP Youtai	5.06 ₽	Купить
Utmel Весь мир	FDN352AP ON Semiconductor	от 15 ₽	Купить
DIP8.RU Россия и страны ТС	FDN352AP ON Semiconductor	от 27 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SMD, 3-SUPERSOT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench® MOSFET
August 2005
FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench® MOSFET
Features
­1.3 A, ­30V ­1.1 A, ­30V RDS(ON) = 180 m @ VGS = ­10V RDS(ON) = 300 m @ VGS = ­4.5V High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability.

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -1.3 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 180 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Рассеиваемая мощность: 500 мВт
• Корпус транзистора: SuperSOT
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -1.3 А
• Тип корпуса: SuperSOT-3
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть