HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FDS4435 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Fairchild FDS4435

Наименование модели: FDS4435

57 предложений от 29 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 8.8 А, 0.016 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
FDS4435
ON Semiconductor
2.23 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDS4435
ON Semiconductor
2.28 ₽
FDS4435BZ
6.97 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FDS4435BZ-NL
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS4435
October 2001
FDS4435
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: -8.8 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 50 А
  • SMD Marking: FDS4435
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.7 В
  • Voltage Vds: 30 В
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
  • Voltage Vgs th Max: -3 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDS4435 - Fairchild MOSFET, P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России