Datasheet FDZ191P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, UCPBF — Даташит
Наименование модели: FDZ191P
Купить FDZ191P на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 1 901 ₽ 25 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 3 А, 0.067 Ом, WL-CSP, Surface Mount | |||
FDZ191P Fujitsu-Siemens | 11 ₽ | ||
FDZ191P ON Semiconductor | 11 ₽ | ||
FDZ191P ON Semiconductor | от 11 ₽ | ||
FDZ191P Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, UCPBF
Краткое содержание документа:
FDZ191P P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET
June 2009
FDZ191P P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET
-20V, -1A, 85m: Features
Max rDS(on) = 85m: at VGS = -4.5V, ID = -1A Max rDS(on) = 123m: at VGS = -2.5V, ID = -1A Max rDS(on) = 200m: at VGS = -1.5V, ID = -1A Occupies only 1.5 mm2 of PCB area Less than 50% of the area of 2 x 2 BGA Ultra-thin package: less than 0.65 mm height when mounted to PCB RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
- Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
- Корпус транзистора: WL-CSP
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Capacitance Ciss Typ: 800 пФ
- Current Id Max: -3 А
- On State Resistance Max: 85 МОм
- Тип корпуса: WL-CSP
- Pin Configuration: G(1), S(2, 5, 6), D(3, 4)
- Pulse Current Idm: 15 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
- Voltage Vgs th Min: -0.4 В
RoHS: есть