Datasheet NDS9952A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 3.7/-2.9 А, 8SOIC — Даташит

Fairchild NDS9952A

Наименование модели: NDS9952A

Купить NDS9952A на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 3 517 ₽ 25 предложений от 19 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 3.7 А, 0.06 Ом, SOIC, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	NDS9952A Fujitsu-Siemens	18 ₽
Триема Россия	NDS9952A Fairchild	20 ₽
AiPCBA Весь мир	NDS9952A Fairchild	36 ₽
Utmel Весь мир	NDS9952A ON Semiconductor	от 117 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 3.7/-2.9 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 1996
NDS9952A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 3.7 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 80 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
Рассеиваемая мощность: 2 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Current Id Max: 3.7 А
Тип корпуса: SOIC
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 1.7 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть