Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet FDS4685 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 40 В, 8.2 А, 8-SOIC — Даташит

Fairchild FDS4685

Наименование модели: FDS4685

32 предложений от 17 поставщиков
МОП-транзистор 40V PCH POWER TRENCH МОП-транзистор
AiPCBA
Весь мир
FDS4685
Fairchild
48 ₽
ЧипСити
Россия
FDS4685
ON Semiconductor
90 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
FDS4685
3 199 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FDS4685
Freescale
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P CH, 40 В, 8.2 А, 8-SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2005
FDS4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET
Features
­8.2 A, ­40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = ­10 V RDS(ON) = 0.035 @ VGS = ­4.5 V Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -8.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.2 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet FDS4685 - Fairchild MOSFET, P CH, 40 V, 8.2 A, 8-SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России