На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet FDS6673BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC — Даташит

Fairchild FDS6673BZ

Наименование модели: FDS6673BZ

30 предложений от 16 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V
FDS6673BZ
Fujitsu-Siemens
14 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDS6673BZ
ON Semiconductor
34 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDS6673BZ
ON Semiconductor
35 ₽
FDS6673BZ
ON Semiconductor
от 131 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
March 2009
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -14.5A, 7.8m General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -14.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 6.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet FDS6673BZ - Fairchild MOSFET, P CH, 30 V, 14.5 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России