Datasheet FDS6673BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: FDS6673BZ
Купить FDS6673BZ на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 2 540 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V | |||
FDS6673BZ Fujitsu-Siemens | 14 ₽ | ||
FDS6673BZ ON Semiconductor | 34 ₽ | ||
FDS6673BZ ON Semiconductor | 35 ₽ | ||
FDS6673BZ ON Semiconductor | от 131 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC
Краткое содержание документа:
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
March 2009
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -14.5A, 7.8m General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -14.5 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)