ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet FDS4435BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Fairchild FDS4435BZ

Наименование модели: FDS4435BZ

47 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 8.8 А, 0.016 Ом, SOIC, Surface Mount
FDS4435BZ
6.97 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDS4435BZ_F021
Fairchild
15 ₽
FDS4435BZ
Fairchild
от 48 ₽
Acme Chip
Весь мир
FDS4435BZ
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -8.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -2.1 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: -8.8 А
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.1 В
  • Тип транзистора: Trench
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDS4435BZ - Fairchild MOSFET, P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России