Datasheet NDT451AN - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В, 7.2 А SOT-223 — Даташит

Fairchild NDT451AN

Наименование модели: NDT451AN

Купить NDT451AN на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 2 129 ₽ 33 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,2А; 3Вт; SOT223
Стандарт СИЗ Россия	NDT451AN Fujitsu-Siemens	11 ₽
AiPCBA Весь мир	NDT451AN ON Semiconductor	46 ₽
Utmel Весь мир	NDT451AN ON Semiconductor	от 260 ₽
LifeElectronics Россия	NDT451AN3 Fairchild	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В, 7.2 А SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 2009
NDT451AN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 7.2 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
RoHS: Y-Ex
SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)