Datasheet FQD2N100TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 1000 В, 1.6 А, D-PAK, RL — Даташит
Наименование модели: FQD2N100TM
Купить FQD2N100TM на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 353 ₽ 22 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363 | |||
2N7002DWH6327XTSA1 Infineon | от 13 ₽ | ||
FQD2N100TM ON Semiconductor | от 43 ₽ | ||
FQD2N100TM ON Semiconductor | 77 ₽ | ||
FQD2N100TM ON Semiconductor | 103 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 1000 В, 1.6 А, D-PAK, RL
Краткое содержание документа:
FQD2N100/FQU2N100
January 2009
QFET
®
FQD2N100/FQU2N100
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On Resistance Rds(on): 7.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)