На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BSC016N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC016N03MS G

Наименование модели: BSC016N03MS G

8 предложений от 8 поставщиков
OptiMOS?„?3 M-Series Power-MOSFET
ЧипСити
Россия
BSC016N03MSG
Infineon
46 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSC016N03MSG
Infineon
48 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSC016N03MSG
Infineon
49 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
BSC016N03MSG
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 125 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC016N03MS G - Infineon MOSFET, N CH, 100 A, 30 V, PG-TDSON-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России