Datasheet BSC082N10LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC082N10LS G

Наименование модели: BSC082N10LS G

Купить BSC082N10LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 124 до 347 949 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8Pin TDSON T/R
ЧипСити Россия	BSC082N10LSG Infineon	124 ₽
AiPCBA Весь мир	BSC082N10LSG Infineon	347 947 ₽
ChipWorker Весь мир	BSC082N10LSG Infineon	347 949 ₽
ЗУМ-СМД Россия	BSC082N10LSG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
& " &
"%&$!"#E $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ R ( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R/ 6C = @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# J @H 6D E R U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 62 2 :? :2 R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 )(( 0&* )(( K Z" 6

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 6.8 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 100 А
Power Dissipation Pd: 156 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть