Datasheet BSP295L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K — Даташит
Наименование модели: BSP295L6327
Купить BSP295L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 8 115 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | |||
| BSP295L6327 | 19 ₽ | ||
| BSP295L6327 Infineon | 27 ₽ | ||
| BSP295L6327HTSA1 Infineon | от 4 294 ₽ | ||
| BSP295L6327 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Rev 1.2
BSP295
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature
Product Summary VDS RDS(on) ID 60 0.3 1.8
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 1.8 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 6.8 А
- Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
- SMD Marking: BSP 295
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
RoHS: есть
