Datasheet BSP315P - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP315P

Наименование модели: BSP315P

Купить BSP315P на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 180 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
T-electron Россия и страны СНГ	BSP315P Infineon	26 ₽
Элитан Россия	BSP315P	35 ₽
AiPCBA Весь мир	BSP315P H6327 Infineon	50 ₽
Utmel Весь мир	BSP315P-E6327 Infineon	от 180 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 315 P SIPMOS ® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel
·
Product Summary Drain source voltage Continuous drain current
VDS ID

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: 1.17 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 800 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Voltage Vgs Max: -1.5 В
Корпус транзистора: SOT-223
Количество выводов: 4
Current Id Max: 1.17 А
Current Temperature: 25°C
External Depth: 7.3 мм
Внешняя длина / высота: 1.7 мм
Внешняя ширина: 6.7 мм
Full Power Rating Temperature: 25°C
Температура перехода максимальная: 150°C
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: SOT-223
Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
Pulse Current Idm: 4.68 А
SMD Marking: BSP315P
Ширина ленты: 12 мм
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
Voltage Vds Typ: -60 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
Voltage Vgs th Max: -2 В

RoHS: есть