Datasheet IPA60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA60R125CP
Купить IPA60R125CP на РадиоЛоцман.Цены — от 102 до 569 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков транз: N-MOSFET 600V 29A | |||
IPA60R125CP (ST-STP34NM60N) STMicroelectronics | 102 ₽ | ||
IPA60R125CP Infineon | 168 ₽ | ||
IPA60R125CP Infineon | 170 ₽ | ||
IPA60R125CP Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
IPA60R125CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Worldwide best R DS,on in TO220 Fullpak · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max@T j= 25°C Q g,typ 650 V
0.125 53 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 125 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 25 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A