Datasheet IPA60R165CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Infineon IPA60R165CP

Наименование модели: IPA60R165CP

Купить IPA60R165CP на РадиоЛоцман.Цены — от 158 до 311 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
ЧипСити Россия	IPA60R165CP Infineon	158 ₽
AiPCBA Весь мир	IPA60R165CP Infineon	166 ₽
Utmel Весь мир	IPA60R165CP Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPA60R165CP Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPA60R165CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max@T j= 25°C Q g,typ 650 V
0.165 39 nC

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 21 А
Drain Source Voltage Vds: 650 В
On Resistance Rds(on): 165 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 21 А
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation Pd: 34 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 650 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A