Datasheet IPA60R520CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA60R520CP
Купить IPA60R520CP на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 433 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN | |||
| IPA60R520CP (ST-STP14NK60ZFP) STMicroelectronics | 37 ₽ | ||
| IPA60R520CP Infineon | 79 ₽ | ||
| IPA60R520CP Infineon | 84 ₽ | ||
| IPA60R520CP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IPA60R520CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj = 25°C Q g,typ 650 V
0.520 24 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 520 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 6.8 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 30 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
