Datasheet IPA90R340C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA90R340C3
Купить IPA90R340C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 154 до 4 200 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN | |||
| IPA90R340C3 Infineon | 154 ₽ | ||
| IPA90R340C3XK Infineon | 288 ₽ | ||
| IPA90R340C3XKSA2 Infineon | от 959 ₽ | ||
| IPA90R340C3 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IPA90R340C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Worldwide best R DS,on in TO220 Fullpak · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @ T J = 25°C Q g,typ 900 0.34 94 V nC
PG-TO220 FP
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On Resistance Rds(on): 340 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 15 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
