Datasheet IPB025N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 120 А, 80 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB025N08N3 G

Наименование модели: IPB025N08N3 G

Купить IPB025N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 344 до 512 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
ЧипСити Россия	IPB025N08N3G Infineon	344 ₽
AiPCBA Весь мир	IPB025N08N3G Infineon	365 ₽
ChipWorker Весь мир	IPB025N08N3G Infineon	368 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPB025N08N3G	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 120 А, 80 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB025N08N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 R 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 80 В
On Resistance Rds(on): 2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 120 А
Power Dissipation Pd: 300 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть