Datasheet IPB039N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB039N04L G

Наименование модели: IPB039N04L G

Купить IPB039N04L G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
ТаймЧипс Россия	IPB039N04LG Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IPB039N04LG	по запросу
Akcel Весь мир	IPB039N04LG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPB039N04LG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP039N04L G IPB039N04L G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB039N04L G IPP039N04L G
1)

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3.1 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 80 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть