Datasheet IPB054N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 80 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB054N08N3 G
Купить IPB054N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 93 до 281 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level | |||
| IPB054N08N3G Infineon | 93 ₽ | ||
| IPB054N08N3G Infineon | 98 ₽ | ||
| IPB054N08N3G Infineon | 99 ₽ | ||
| IPB054N08N3G Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 80 В, PG-TO263-3
Скачать Data SheetСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 4.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 80 А
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
