Datasheet IPB080N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB080N03L G

Наименование модели: IPB080N03L G

Купить IPB080N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 69 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0119Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
ЧипСити Россия	IPB080N03LG Infineon	64 ₽
AiPCBA Весь мир	IPB080N03LG Infineon	69 ₽
Acme Chip Весь мир	IPB080N03LG	по запросу
МосЧип Россия	IPB080N03LG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP080N03L G IPB080N03L G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPP080N03L G IPB080N03L G Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 8.0 50 V mW A
TM

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 6.7 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 47 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть