Datasheet IPB60R099CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить IPB60R099CP на РадиоЛоцман.Цены — от 189 до 1 340 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков FIXED IND 180UH 900MA 350MOHM SM
Стандарт СИЗ Россия	IPB60R099CP Infineon	189 ₽	Купить
Триема Россия	IPB60R099CP MOSFET N-CH 650V 31A	252 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IPB60R099CP Infineon	по запросу	Купить
Контест Россия	IPB60R099CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB60R099CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO263 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 0.099 60 V nC
PG-TO263

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 31 А
• Current Id Max: 31 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 99 МОм
• Pulse Current Idm: 93 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 255 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-263
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)