Datasheet IPD036N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD036N04L G

Наименование модели: IPD036N04L G

Купить IPD036N04L G на РадиоЛоцман.Цены — от 52 до 64 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков INFINEON IPD036N04L G MOSFET Transistor, N Channel, 90A, 40V, 3mohm, 10V, 1.2V
ЧипСити Россия	IPD036N04LG Infineon	52 ₽
AiPCBA Весь мир	IPD036N04LG Infineon	63 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPD036N04LG	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD036N04LG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Je]R
% # !
"%&$!"# % .;?6 <> (> ?@
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H( 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ( 9I"[# I @G 6C D Q F2 =? 496 D D 2 6C65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 #* ( & ! DaYN Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 90 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть